第1年
EN5319QI和EN5329QI和EN6362QI
TPS7A4001DGNR 和 IPW65R080CFDA
傳感器AS5600/SHT11/AEDR-8300
HMC485MS8GETR和MAX19999ETX 混頻器
LTC3553EUD和LTC2941IDCB管理IC
MT46H64M32LFBQ-48動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)
MPXH6115AC6T1 壓力傳感器
BCM56305B1KEBG和L9679BTR集成IC
CYW43340XKUBGT和CC2630F128RGZ
一、STFU9N65M2 ：
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On 900 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg） 10nC @ 10V
Vgs ±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss） 315pF @ 100V
功率耗散 20W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220FP
封裝/外殼 TO-220-3 整包
二、IRLB3036PBF ：
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 195A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On2.4 毫歐 @ 165A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg） 140nC @ 4.5V
Vgs ±16V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss） 11210pF @ 50V
功率耗散 380W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
手機(jī)圖頁網(wǎng)
