7月13日，第十五屆汽車動力系統(tǒng)技術(shù)年會在青島召開，本次會議共吸引了來自國內(nèi)外 500多家機構(gòu)近 2000位專業(yè)代表參加，對汽車碳中和技術(shù)路徑研究、主要應(yīng)用場景的動力系統(tǒng)技術(shù)發(fā)展趨勢等方面進行分享和探討。

士蘭微汽車電子產(chǎn)品線高級市場經(jīng)理伍志剛在會議現(xiàn)場做了《車規(guī)級功率半導體特色封裝與先進工藝》主題演講，分享了士蘭微車規(guī)級產(chǎn)品的布局，介紹了士蘭的IGBT產(chǎn)品、SiC產(chǎn)品，以及在產(chǎn)品制造工藝、封裝技術(shù)等方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗。

01  士蘭車規(guī)模塊

IGBT模塊

SGM820PB8B3TFM

使用場合：適用于混動和純電動汽車等應(yīng)用領(lǐng)域；

電氣特征：士蘭微電子基于自主研發(fā)的高密度溝槽工藝IGBT芯片技術(shù)開發(fā)的六單元拓撲模塊；

封裝特性：采用導熱性優(yōu)良的DBC技術(shù)。

IGBT模塊

SSGM1R7PB12B3DTFM

使用場合：適用于混動和純電動汽車主驅(qū)等應(yīng)用領(lǐng)域；

電氣特征：采用士蘭微最新一代SiC低Rdson的1200V芯片技術(shù)；

封裝特性：采用高導熱AMB絕緣陶瓷基板技術(shù)，銀燒結(jié)工藝。

IGBT模塊

SGM600HF12B4TFD 

使用場合：應(yīng)用于大功率變流器、電機傳動、太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)等；

電氣特征：采用士蘭第四代IGBT工藝平臺技術(shù)，具備低飽和壓降，高抗短路能力；

封裝特性：采用絕緣DBC技術(shù)。

02  士蘭汽車電子分立器件

    士蘭應(yīng)用于汽車電子的分立器件包含40-100V各電壓平臺LVMOS、650V高壓超結(jié)MOS、1200V SiC MOS及各頻率段分立IGBT，可大面積覆蓋汽車各系統(tǒng)應(yīng)用，包括車身域控、電機控制、車載充電及熱泵管理等應(yīng)用，擁有良好的電氣特性及可靠性。

LVMOS

SVGQ041R3NL5V-2HS

使用場合：汽車助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電子泵系統(tǒng)、風扇應(yīng)用及底盤安全等；

電氣特征：采用士蘭LVMOS工藝40V電壓平臺制造，具有低導通電阻及優(yōu)越的開關(guān)特性；

封裝特性：采用士蘭Wettable PDFN5*6封裝，可增強光學檢測。

LVMOS

SVGQ041R2NLS-2HF

使用場合：汽車助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電子泵系統(tǒng)、風扇應(yīng)用及低壓電器盒應(yīng)用等；

電氣特征：采用士蘭LVMOS工藝40V電壓平臺制造，具有優(yōu)越的開關(guān)特性及高雪崩擊穿耐量；

封裝特性：采用士蘭Wettable sTOLL封裝，可增強光學檢測。

IGBT分立器件

SGTP50V65UFCR3P7

使用場合：汽車車載充電機OBC、DC/DC應(yīng)用、充電樁及光伏應(yīng)用等；

電氣特征：采用士蘭第五代場截止工藝制成，具較低的導通損耗和開關(guān)損耗；

封裝特性：采用TO-247-3L封裝。

03  現(xiàn)場掠影

    士蘭微電子利用自身在高壓智能功率模塊技術(shù)、第三代功率半導體器件技術(shù)、綠色電源芯片技術(shù)等多個芯片設(shè)計領(lǐng)域的積累，以及不斷強化的工藝平臺開發(fā)能力，不斷提升的8吋/12吋硅圓片生產(chǎn)能力、先進化合物半導體生產(chǎn)能力，為汽車客戶提供優(yōu)質(zhì)的芯片產(chǎn)品系列和系統(tǒng)性的應(yīng)用解決方案，助力產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。